7月20日消息，據媒體報道，日本芯片制造商Rapidus已宣布啟動2nm晶圓的測試生產，預計2027年正式進入量產階段。
根據Tomshardware報道，在Rapidus日本的IIM-1廠區已經展開對采用2nm全環繞柵極架構（GAA） 晶體管技術的測試晶圓進行原型制作。
公司確認，早期測試晶圓已達到預期的電氣特性，這表示其晶圓廠工具運作正常，制程技術開發進展順利。
原型制作是半導體生產中的一個重要里程碑，目的在驗證使用新技術制造的早期測試電路是否可靠、高效并達到性能目標。
Rapidus目前正在測量其測試電路的電氣特性，包括臨界電壓、驅動電流、漏電流、次臨界斜率、開關速度、功耗和電容等參數。
另外，Rapidus的IIM-1廠區自2023年9月動工以來件展正常，無塵室于2024年完成，截至2025年6月已連接超過200套設備，包括先進的DUV和EUV光刻工具。
之前有說法認為，日本本國的半導體產業在中國臺灣地區和韓國半導體產業多年打擊后，其老舊產線基本退出，僅剩少數設備仍在運行。
在臺積電大規模投資日本工廠之前，日本連量產40nm制程芯片都難以實現，在制程領域甚至落后于中國大陸。
文章來源：
快科技
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